砷化銦是由銦和砷構(gòu)成的Ⅲ一V族化合物半導體材料。常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為0.6058nm，密度為5.66g/cm(固態(tài))、5.90g/cm(熔點時液態(tài))。能帶結(jié)構(gòu)為直接躍遷

一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3

人工合成的化合物半導體材料。 外觀：橙紅色透明晶體。 磷化稼是一種由n從族元素鑲(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導體材料。

一、硅外延的定義 硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結(jié)晶方向生長一層具有一定導電類型，電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)與體單晶一致的新單晶層。 二、硅外延

鍍金硅片 現(xiàn)貨供應鍍金硅片鍍鉑硅片，或按客戶要求定制，厚度可以自由選擇 2寸現(xiàn)貨 請聯(lián)系我們。哈爾濱特博科技有限公司--實驗室專業(yè)供應商 應用 硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有著驚人的運算能

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單晶硅片：硅的單晶體，是一種具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導體器件、太陽能電

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哈爾濱特博科技有限公司專業(yè)供應8寸熱氧化硅片，其他尺寸也可以按客戶要求提供，氧化厚度 可嚴格按客戶要求，日本進口，價格優(yōu)勢。氧化厚度1000A 2000A 3000A 5000A 700

單壁高純碳納米管 產(chǎn)品基本參數(shù) 純度：>90% 外徑：1-2nm [OD=Outer Diameter] 內(nèi)徑：0.8-1.6nm [ID=Inner D

主要參數(shù)： 產(chǎn)品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Ag 99.9% 50nm 5㎡/g 0.4g/cm3 灰色 主要用途 導電

主要參數(shù)： 產(chǎn)品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米W 99.9% 50nm 5㎡/g 2.5g/cm3 紫色

主要用途 ★ 金屬和非金屬的表面導電涂層處理 納米銅粉體有高活化表面，在無氧 條件下可在低于粉體熔點的溫度實施涂層。應用于微電子器件的生產(chǎn)。 ★ 催化劑 銅及其合金納米粉體用作催化劑，

主要參數(shù)： 產(chǎn)品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Fe 99.9% 50nm 9㎡/g 0.35g/cm3 黑色 主要用途 納